by880-50 ... by880-1000 by880-50 ... by880-1000 silicon rectifier diodes C silizium-gleichrichterdioden version 2010-08-09 dimensions - ma?e [mm] nominal current nennstrom 8 a repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 50...1000 v plastic case kunststoffgeh?use ? 5.4 x 7.5 [mm] weight approx. gewicht ca. 1.0 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped in ammo pack standard lieferform gegurtet in ammo-pack maximum ratings grenzwerte type typ repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm [v] surge peak reverse voltage sto?spitzensperrspannung v rsm [v] by880-50 50 50 by880-100 100 100 BY880-200 200 200 by880-400 400 400 by880-600 600 600 by880-800 800 800 by880-1000 1000 1000 max. average forward rectified current, r-load dauergrenzstrom in einwegschaltung mit r-last t a = 50c i fav 8 a 1 ) repetitive peak forward current periodischer spitzenstrom f > 15 hz i frm 80 a 1 ) peak forward surge current, 50/60 hz half sine-wave sto?strom fr eine 50/60 hz sinus-halbwelle t a = 25c i fsm 400/450 a rating for fusing,t < 10 ms grenzlastintegral, t < 10 ms t a = 25c i 2 t 800 a 2 s junction temperature C sperrschichttemperatur in dc forward mode C bei gleichstrom-durchlassbetrieb t j t j -50...+175c +200c storage temperature C lagerungstemperatur t s -50...+175c 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand von geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 t y p e ? 0.05 1.2 ? 0.1 5.4 6 2 . 5 0 . 5 7 . 5 0 . 1
by880-50 ... by880-1000 characteristics kennwerte forward voltage C durchlass-spannung t j = 25c i f = 8 a v f < 1.1 v leakage current C sperrstrom t j = 25c v r = v rrm i r < 20 a thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 20 k/w 1 ) thermal resistance junction to leads w?rme widerstand sperrschicht C anschlussdraht r thl 2 ) < 4 k/w 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand von geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 in some standards, measurement of case temperature t c is required. for that, measure lead temperature t l and set t c = t l and r thc = r thl in einigen normen wird die messung der geh?usetemperatur t c verlangt. in diesem fall ist die anschlussdrahttemperatur t l zu messen und folgende ersetzung vorzunehmen: t c = t l and r thc = r thl 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag 120 100 80 60 40 20 0 [%] i fav rated forward current versus ambient temperature ) zul. richtstrom in abh. von der umgebungstemp. ) 1 1 [c] t a 150 100 50 0 10 10 10 1 10 3 2 -1 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0.4 v f 0.8 1.0 1.2 1.4 [v] 1.8 t = 25c j t = 125c j 300a-(5a-1v) peak forward surge current versus number of cycles at 50 hz durchla?-spitzenstrom in abh. von der zahl der halbwellen bei 50 hz 10 10 10 1 3 2 [a] ? f 1 10 10 [n] 10 2 3
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